材料/设备总投资160亿，湖南三安半导体最新进展情况

9月28日，湖南三安半导体产业园项目C2综合动力站单体完成封顶。9月29日，最后一块华夫板浇筑完毕。

据红网报道，C2综合动力站建筑面积约10000平方米，是厂区的心脏，主要包括热水系统，冷却水系统、压缩空气系统、发电系统等，而最后一块华夫板浇筑完毕意味着该产业园最大单体M2B碳化硅芯片生产厂房全面进入主体施工收尾阶段，这也标志着公司在华夫板浇筑领域的首次施工圆满落下帷幕。

湖南三安半导体产业园项目为国内第一条、世界第三条碳化硅全产业链产线，项目产品为高质量、低成本、高稳定性的碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域。

“M2B碳化硅芯片厂房是该项目一标段30个单体中建筑面积最大、洁净等级要求最高的厂房。”项目负责人周祥介绍，其按照“百级洁净度”标准建设，堪比最高洁净等级的手术室内部空气洁净标准。

该项目建成达产后，将形成超100亿的产业规模，带动上下游配套产业产值预计超1000亿，创造近10000个就业岗位。凭借项目完整的碳化硅产业链布局和强大的制造平台，将促成湖南、长沙成为全球碳化硅、氮化镓市场高地，达到化合物半导体领域的领先地位。

根据此前的资料，长沙三安第三代半导体项目是长沙17个制造业标志性重点项目之一，总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。

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